天津大学孙雅静获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120925072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468961.X，技术领域涉及：C07D495/02；该发明授权一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法是由孙雅静;谢心怡;孙首港;陈小松;李立强;胡文平设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及有机材料技术领域，具体涉及一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法。具体技术方案为：以带有烷基侧链的有机半导体分子为原料，在氢气氛围下，采用物理气相传输法，在低压环境下，非晶衬底与原料的间距为紧密接触，并外延生长有机半导体单层膜。本发明通过调控原料与非晶衬底之间的相对位置、引入辅助气氛氢气，并在低压环境中优化晶体生长机制，从而实现外延生长晶圆级、连续、厚度可控的高质量有机单层薄膜。
本发明授权一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法，其特征在于：以带有烷基侧链的有机半导体分子为原料，在氢气氛围下，采用物理气相传输法，在低压环境下，非晶衬底与原料的间距为紧密接触，并外延生长有机半导体单层膜； 所述有机半导体分子为C10-DNTT、C6-DNTT、C6-DPA中的一种。
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