买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海芯源创新中心申请的专利一种基于拓扑优化的多模干涉仪材料设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120930572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511445729.4，技术领域涉及：G06F30/337；该发明授权一种基于拓扑优化的多模干涉仪材料设计方法是由郑伟;贺喜;叶劲飞;杜佳乐;孙博设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于拓扑优化的多模干涉仪材料设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于拓扑优化的多模干涉仪材料设计方法，构建了多模干涉仪器件的几何网络模型，包括器件区域和PML层，所述器件区域包括Input区域、Design区域和Output区域，所述Output区域包含至少一个端口，所述Input区域和Output区域的区域材料填充为Si，所述Design区域材料在Si和SiO2间通过拓扑优化求解其分布。本发明通过结合拓扑优化、二值化处理和MarchingTriangle算法，本发明成功实现了从理论优化到物理实现的完整设计链路。

本发明授权一种基于拓扑优化的多模干涉仪材料设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于拓扑优化的多模干涉仪材料设计方法，其特征在于： 构建多模干涉仪器件的几何网络模型，包括器件区域，所述器件区域包括Input区域、Design区域和Output区域，所述Output区域包含至少一个端口，所述Input区域和Output区域的区域材料填充为Si，所述Design区域材料在Si和SiO2间通过拓扑优化求解其分布； 所述多模干涉仪的几何网格模型还包括周围材料和边界条件； 所述周围材料包括第一区域和第二区域，所述第一区域紧密包围器件区域，所述第二区域紧密包围第一区域； 所述第一区域材料为SiO2，所述第二区域材料为PML； 所述PML是一种假想的材料用以吸收从计算域内部入射到边界上的波，几乎无反射，从而模拟无限大空间，为了在数值模拟中实现所述PML，采用了坐标复数拉伸方法，具体表示为： ， 其中，是坐标拉伸函数，取为： ， 其中，是沿坐标的吸收函数，是角频率，是虚数单位； 此处只考虑TM模式且假设电场在平面内传输，由标量表示为垂直平面方向上分量，二维情况下的亥姆霍兹方程为； ， 其中，是自由空间中的波数，是源项在麦克斯韦方程中对应于磁电流密度，PML的坐标复数拉伸方法的公式对应于对偏微分方程的变换为： ， 其中，是坐标点进入PML的深度，和导数对应于和方向区域边缘的PML层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海芯源创新中心，其通讯地址为：200126 上海市浦东新区白莲泾路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。