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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利碳化硅晶体扩径生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484870.5，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权碳化硅晶体扩径生长装置及方法是由徐豹设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶体扩径生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅晶体扩径生长装置及方法，涉及晶体生长领域，本扩径生长装置及方法通过水平排布粉料腔和籽晶，并设置水平延伸的气相通道，粉料腔内形成的长晶气相可以沿水平方向流向气相通道内的匀速自转的籽晶，如此可以实现晶体在籽晶周壁上各个部位的快速和均匀生长，从而提高晶体扩径生长的效率和生长质量。

本发明授权碳化硅晶体扩径生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，包括： 坩埚100，所述坩埚100内部设置有多孔石墨板110，所述多孔石墨板110与所述坩埚100的侧壁共同形成用于盛装碳化硅粉料200的粉料腔112，所述坩埚100内部具有沿水平方向延伸的气相通道150，所述气相通道150位于所述多孔石墨板110远离所述粉料腔112的一侧，且沿远离所述粉料腔112的方向所述气相通道150的宽度逐渐增大； 活动杆130，所述活动杆130沿竖直方向穿设所述坩埚100的顶壁，所述活动杆130的底端同轴设置有籽晶140，所述籽晶140位于所述气相通道150内，所述籽晶140能在所述活动杆130的驱动下在所述气相通道150内匀速自转，同时沿远离所述粉料腔112的方向水平移动； 加热器180，所述加热器180围绕所述坩埚100设置，用于在所述坩埚100内部构建热场，使所述碳化硅粉料200升华形成的长晶气相能穿过所述多孔石墨板110后进入所述气相通道150，并在所述籽晶140的周壁上生长晶体； 所述气相通道150在宽度方向上具有相对的第一侧壁152和第二侧壁154，在所述籽晶140水平移动的过程中，所述籽晶140的轴线与所述第一侧壁152的距离和所述籽晶140的轴线与所述第二侧壁154的距离始终相等； 所述坩埚100内设置有多晶室160，所述多晶室160位于所述气相通道150的下方，所述多晶室160的入口与所述气相通道150的出口对接，用于引导穿过所述气相通道150的长晶气相进入并结晶。

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