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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484872.4，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法是由邓欢设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域。其包括坩埚体以盖设在坩埚体上的坩埚盖，坩埚盖与坩埚体共同限定出相连通的原料区和生长区；原料区内盛装有碳化硅粉料，生长区内设置有导流筒；导流筒包括第一包容面和第二包容面，第二包容面包容有籽晶，同时第二包容面上开设有多个生长槽，生长槽用于供碳化硅晶体边缘生长进入并在生长槽内形成边缘晶体。本发明通过开设有生长槽，使得进入生长槽的晶体能够对导流筒施加局部高集中应力，使得导流筒发生开裂、破碎，进而实现晶体应力的释放，减少基矢面位错的产生。

本发明授权一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置，其特征在于，包括： 坩埚体100； 坩埚盖200，所述坩埚盖200盖设于所述坩埚体100上，所述坩埚盖200与坩埚体100共同限定出相连通的原料区110和生长区120； 所述原料区110内盛装有碳化硅粉料130，所述生长区120内设置有导流筒300；所述导流筒300包括第一包容面310和第二包容面320，所述第二包容面320包容有籽晶140，以使得所述籽晶140的外缘与所述第二包容面320相抵接； 所述第二包容面320上环型阵列开设有多个生长槽321，所述生长槽321沿轴向从所述导流筒300的一端延伸至另一端，并用于供碳化硅晶体边缘生长进入并在所述生长槽321内形成边缘晶体； 所述生长槽321包括第一尖锐部3211； 在所述生长槽321内形成有所述边缘晶体的条件下，所述第一尖锐部3211产生集中应力； 所述第一包容面310上环型阵列开设有多个破裂槽311，多个所述破裂槽311成对设置，每对所述破裂槽311在周向上对称地开设在对应所述生长槽321的两侧； 所述破裂槽311包括第二尖锐部3111，所述第二尖锐部3111与第一尖锐部3211之间形成有开裂路径A1； 所述第一尖锐部3211的设置数量为多个，相邻所述第一尖锐部3211之间形成有推力部3212； 所述生长槽321还包括过渡部3213，所述过渡部3213的一端与所述第二包容面320连接，另一端与所述推力部3212连接并与所述推力部3212限定出所述第一尖锐部3211； 所述过渡部3213为平面或曲面； 在所述过渡部3213为曲面的条件下，所述过渡部3213靠近所述第二包容面320的一端与所述第二包容面320相切。

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