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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利径向温梯可调式晶体生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484873.9，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权径向温梯可调式晶体生长装置及方法是由邓欢设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本径向温梯可调式晶体生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种径向温梯可调式晶体生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，以改善现有技术中待生长晶体的径向温梯调节不便的技术问题。其包括加热炉、坩埚以及径向温梯调节装置；坩埚内分别布置有待生长晶体和碳化硅粉料；径向温梯调节装置设置于顶壁上，径向温梯调节装置包括驱动组件以及与驱动组件连接的多个热量反射件；多个热量反射件在驱动组件的作用下选择性地移动至待生长晶体上方，以将待生长晶体上方的至少部分热量反射至待生长晶体，从而调节待生长晶体生长界面处的径向温梯。本发明能够在有效减少晶体缺陷、提高衬底产出的同时，得到所需要的晶体形貌。

本发明授权径向温梯可调式晶体生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.径向温梯可调式晶体生长装置，其特征在于，包括： 加热炉100，所述加热炉100包括相对的侧壁110和顶壁120，所述侧壁110和顶壁120之间限定出加热空间130； 坩埚200，所述坩埚200设置于所述加热空间130内，所述坩埚200内分别布置有待生长晶体210和碳化硅粉料220； 径向温梯调节装置300，径向温梯调节装置300设置于所述顶壁120上，所述径向温梯调节装置300包括驱动组件310以及与所述驱动组件310连接的多个热量反射件320；多个所述热量反射件320在所述驱动组件310的作用下选择性地移动至所述待生长晶体210上方，以将所述待生长晶体210上方的至少部分热量反射至所述待生长晶体210，从而调节待生长晶体210生长界面处的径向温梯； 多个所述热量反射件320包括第一热量反射件321和第二热量反射件322； 其中，所述第一热量反射件321为圆盘形热量反射件，所述第二热量反射件322为圆环形热量反射件； 多个所述热量反射件320还包括第三热量反射件323； 所述第三热量反射件323为圆盘形热量反射件，且所述第三热量反射件323的半径小于所述第一热量反射件321。

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