甬矽电子(宁波)股份有限公司孙成富获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511461017.1，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装结构及其封装方法是由孙成富;钟磊;何正鸿设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体封装结构及其封装方法，涉及半导体技术领域，包括具有多层布线层的衬底以及层叠设置的第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，衬底上开设有凹槽，第一芯片正装在衬底上且位于凹槽内，第二芯片倒装在衬底和第一芯片上，且第二芯片的凸点与布线层和第一芯片的焊盘连接，第二芯片上开设有第一通孔，第三芯片正装在第二芯片上，第四芯片倒装在第二芯片和第三芯片上，且第四芯片的导电柱穿设于第一通孔内以与第一芯片的焊盘连接，第四芯片的第一凸点与第三芯片的焊盘连接。该半导体封装结构通过优化芯片的层叠方式与互连路径，减少了TSV导电柱的使用，能够有效降低漏电流风险，提升HBM堆叠系统的稳定性与可靠性。
本发明授权半导体封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括具有多层布线层的衬底以及层叠设置的第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，所述衬底上开设有凹槽，所述第一芯片正装在所述衬底上且位于所述凹槽内，所述第二芯片倒装在所述衬底和所述第一芯片上，且所述第二芯片的凸点与所述布线层和所述第一芯片的焊盘连接，所述第二芯片上开设有第一通孔，所述第三芯片正装在所述第二芯片上，所述第四芯片倒装在所述第二芯片和所述第三芯片上，且所述第四芯片的导电柱穿设于所述第一通孔内以与所述第一芯片的焊盘连接，所述第四芯片的第一凸点与所述第三芯片的焊盘连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽电子(宁波)股份有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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