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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511470386.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由胡臻;何佳;陈彤;周海设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲区；外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P型区；外延生长，形成外延层；刻蚀，离子注入形成P+区；P型阱区及N型源区；刻蚀外延层以及P+区，淀积金属，形成第一源极金属区；刻蚀外延层，形成凸起部以及凹槽，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀外延层，淀积金属，形成第二源极金属区，所述源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区，构建了源极金属层结构来提高器件的可靠性。

本发明授权一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲区； 步骤2、在缓冲区上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤3、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P型区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，在漂移层上外延生长，形成外延层； 步骤5、在外延层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P+区； 步骤6、离子注入形成P型阱区； 步骤7、离子注入，形成N型源区； 步骤8、刻蚀外延层以及P+区，淀积金属，形成第一源极金属区； 步骤9、刻蚀外延层，形成凸起部以及凹槽，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽； 步骤10、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤11、刻蚀外延层，淀积金属，形成第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区； 所述步骤6、8至11均需要去除上一步的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 所述漂移层的掺杂浓度为6-10e16cm-3，所述P型区的掺杂浓度为1-5e17cm-3，所述P型区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度； 所述漂移层下侧面连接至所述缓冲区上侧面；所述P型区位于所述漂移层两侧，所述凸 起部上设有凹槽； 所述P+区下侧面连接至所述P型区；所述P+区内侧面连接至所述凸起部外侧面； 所述P型阱区下侧面分别连接所述P+区以及凸起部； 所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区； 所述栅极金属层设于所述沟槽内； 所述源极金属层分别连接所述P+区、P型阱区以及N型源区。

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