合肥晶合集成电路股份有限公司周宁宁获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468091.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种LDMOS器件及其制备方法是由周宁宁;王梦慧设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；位于所述半导体层内部的体区和漂移区，所述体区具有第一掺杂类型，所述漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述漂移区包括多个在水平方向排列的分区，多个所述分区之间相互分离；位于所述体区中的源区和位于所述漂移区中的漏区，所述源区和所述漏区具有第二掺杂类型；位于所述源区和所述漏区之间的半导体层表面的栅极导体；以及多个多晶硅场板，位于所述源区和所述漏区之间的分区的表面；其中，多个多晶硅场板之间电连接，并且外接电压。
本发明授权一种LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 第一掺杂类型的半导体层； 位于所述半导体层内部的体区和漂移区，所述体区具有第一掺杂类型，所述漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型； 位于所述体区中的源区和位于所述漂移区中的漏区，所述源区和所述漏区具有第二掺杂类型； 位于所述源区和所述漏区之间的半导体层表面的栅极导体；以及 多个多晶硅场板，位于所述源区和所述漏区之间的分区的表面，所述多晶硅场板采用第一掺杂类型的多晶硅； 其中，多个多晶硅场板之间电连接，并且外接电压；所述漂移区包括多个在水平方向排列的分区，多个所述分区之间相互分离，靠近所述漏区的一侧的相邻的分区之间的间距小于靠近所述源区的一侧的相邻的分区之间的间距。
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