杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院马剑豪获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利一种剩磁状态检测方法、装置、电子设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120972060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511510621.9，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权一种剩磁状态检测方法、装置、电子设备及可读存储介质是由马剑豪;蒋钱;沈恺;李江波;陈代勇;王朋飞设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种剩磁状态检测方法、装置、电子设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本公开涉及磁屏蔽技术领域，提出了一种剩磁状态检测方法、装置、电子设备及可读存储介质，其中，该方法包括：获取校准磁化曲线，校准磁化曲线根据目标磁屏蔽层对校准激励脉冲的响应记录数据生成，校准磁化曲线包含表面剩磁变化曲线、电压变化曲线和电流变化曲线三者之间的关联对应关系；针对目标磁屏蔽层，发射测试激励脉冲，获取测试电压数据和测试电流数据；其中，测试激励脉冲的测试脉宽小于校准激励脉冲的校准脉宽的预设比例；将测试电压数据和测试电流数据，与校准磁化曲线进行对照，确定目标磁屏蔽层的当前剩磁状态。本公开一个或者多个实施方式提供的技术方案，能够有效检测磁屏蔽装置中磁屏蔽层的剩磁状态。
本发明授权一种剩磁状态检测方法、装置、电子设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种剩磁状态检测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取校准磁化曲线，所述校准磁化曲线根据目标磁屏蔽层对校准激励脉冲的响应记录数据生成，所述校准磁化曲线包含表面剩磁变化曲线、电压变化曲线和电流变化曲线三者之间的关联对应关系； 针对所述目标磁屏蔽层，发射测试激励脉冲，获取测试电压数据和测试电流数据；其中，所述测试激励脉冲的测试脉宽小于所述校准激励脉冲的校准脉宽的预设比例，所述校准激励脉冲与所述测试激励脉冲均为方波脉冲； 将所述测试电压数据和所述测试电流数据，与所述校准磁化曲线进行对照，确定所述目标磁屏蔽层的当前剩磁状态。
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