北京中科彼岸集成电路科技有限公司曾传滨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请的专利多芯片高密度连接的光刻技术实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120972470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511518271.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权多芯片高密度连接的光刻技术实现方法是由曾传滨;田大庆设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片高密度连接的光刻技术实现方法在说明书摘要公布了：本申请公开了多芯片高密度连接的光刻技术实现方法，包括：获取反映待曝光衬底上存在的原有图形单元的位置分布信息的衬底地图；根据衬底地图生成反映待装载的掩膜版需要曝光的原有图形单元在衬底上的位置分布信息的子地图；掩膜版上设置有将设定方向上至少两个芯片互连的版图信息；将掩膜版装载至光刻设备的掩模版载台并偏置；将衬底装载至光刻设备的载物台通过第一对准标记对准；基于子地图控制载物台按照设定方向及路径移动，通过第二对准标记使掩膜版与需要曝光的原有图形单元对准并偏置曝光，以将掩膜版图形转移至对应的曝光区域，从而实现多芯片互连。
本发明授权多芯片高密度连接的光刻技术实现方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片高密度连接的光刻技术实现方法，其特征在于，包括： 获取衬底地图，所述衬底地图用于反映待曝光衬底上存在的原有图形单元的位置分布信息；所述衬底地图中包括所述衬底上各原有图形单元的位置信息、状态信息、尺寸信息中的至少一种； 针对待装载的掩膜版，根据所述衬底地图生成子地图；所述子地图用于反映所述掩膜版需要曝光的原有图形单元在所述衬底上的位置分布信息；所述掩膜版上设置有用于将设定方向上至少两个芯片互连的版图信息； 将所述掩膜版装载至光刻设备的掩模版载台，偏置所述掩膜版预设的偏移距离； 将所述衬底装载至光刻设备的载物台，通过所述衬底上的第一对准标记进行第一对准； 基于所述子地图控制所述载物台按照设定方向及路径进行移动，通过衬底上的第二对准标记使得所述掩膜版与所述衬底上所述掩膜版需要曝光的原有图形单元对准，偏置所述衬底预设的偏移距离，执行曝光，以将所述掩膜版上的预设图形转移至所述衬底上所述掩膜版需要曝光的原有图形单元对应的曝光区域。
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