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龙图腾网获悉杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120979220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511510619.1，技术领域涉及：H02M9/06；该发明授权一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路及装置是由马剑豪;蒋钱;沈恺;李江波;陈代勇;王朋飞设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路及装置在说明书摘要公布了：本公开涉及磁屏蔽空间技术领域，公开了一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路及装置，正、负脉冲形成电路中充电单元用于通过连续振荡模式对堆叠升压单元的储能元件升压充电；堆叠升压单元由多级Marx电路模块构成，用于通过开关时序控制实现储能元件的并联充电与串联放电，输出幅值及脉宽独立可调的双极性矩形脉冲；降噪隔直模块用于降噪隔直处理；磁屏蔽装置用于对磁屏蔽空间的消磁。通过设置结构相同且独立的正脉冲形成电路与负脉冲形成电路，结合堆叠升压单元的多级Marx电路模块及开关时序控制，实现了双极性矩形脉冲的幅值及脉宽独立可调，从而可以适配磁屏蔽装置多样化消磁需求的问题，拓宽了电路的适用范围。

本发明授权一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路，其特征在于，所述电路包括：正脉冲形成电路、负脉冲形成电路、降噪隔直模块与磁屏蔽装置，所述正脉冲形成电路与所述负脉冲形成电路的输出端均与所述降噪隔直模块连接，所述降噪隔直模块再与所述磁屏蔽装置连接； 所述正脉冲形成电路与所述负脉冲形成电路的结构相同且相互独立，均包括充电单元与堆叠升压单元；所述充电单元的输出端与所述堆叠升压单元的输入端连接；所述充电单元用于通过连续振荡模式对所述堆叠升压单元的储能元件升压充电；所述堆叠升压单元由多级Marx电路模块构成，用于通过开关时序控制实现所述储能元件的并联充电与串联放电，输出幅值及脉宽独立可调的双极性矩形脉冲； 所述降噪隔直模块用于对所述正脉冲形成电路与所述负脉冲形成电路输出的双极性矩形脉冲进行降噪隔直处理； 所述磁屏蔽装置用于接收降噪隔直处理后的双极性矩形脉冲，以实现对磁屏蔽空间的消磁； 其中，所述充电单元包括充电机、充电控制开关、充电电感与前端储能电容；所述充电机的第一端与所述充电控制开关的输入端连接，所述充电机的第二端接地；所述充电控制开关的输出端与所述充电电感的输入端连接，所述充电电感的输出端与所述前端储能电容的输入端连接，所述前端储能电容的输出端与所述堆叠升压单元的储能元件的输入端连接； 所述充电机内置直流电源模块，用于提供充电所需的直流电能；所述充电控制开关用于通过调节开关频率和占空比，控制所述充电电感进入连续充电状态；所述充电电感与所述充电控制开关配合实现振荡升压，提升充电电压；所述前端储能电容用于暂存经升压后的电能，并为所述堆叠升压单元的储能元件提供充电能量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区滨安路465号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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