电子科技大学曾钊卓获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120981147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511494554.6，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导是由曾钊卓;严鹏;金哲珺雨设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导，属于磁性器件技术领域。该器件包括由下到上依次设置的衬底层、交替磁体薄膜以及微波激励源；微波激励源激发具有单一频率的交变磁场，交变磁场和交替磁体薄膜的磁矩发生相互作用，使得磁矩发生进动，并将进动以波的形式向微波激励源外传输，形成自旋波；降低交变磁场的频率，使自旋波仅在交替磁体薄膜中的磁畴壁内传输，实现交替磁体磁畴壁自旋波波导。本发明器件降低了自旋波激发的难度，有利于降低器件的能耗，同时本发明还具有器件微型化、高效率的优势，能够推动基于各向异性介质的自旋波器件的产生与发展，具有广阔应用前景。
本发明授权一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导在权利要求书中公布了：1.一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导，其特征在于，包括由下到上依次设置的衬底层、交替磁体薄膜以及微波激励源； 所述交替磁体薄膜为磁性四方晶格单层膜，且具有以下特性：最近邻交换相互作用为各向同性的反铁磁耦合，次近邻交换相互作用为互相垂直且大小不等的铁磁耦合，同时在不同子晶格上不同大小的铁磁耦合的方向互相垂直； 所述微波激励源激发具有单一频率的交变磁场，交变磁场和交替磁体薄膜的磁矩发生相互作用，使得磁矩发生进动，并将进动以波的形式向微波激励源外传输，形成自旋波；降低交变磁场的频率，使自旋波仅在交替磁体薄膜中的磁畴壁内传输，实现交替磁体磁畴壁纳米自旋波波导。
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