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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统及处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120993688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511508899.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统及处理方法是由门莹莹;黄玉设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统及处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统及处理方法，处理系统包括曝光模块，用以将监控图形曝光至掩模版的有效图形区域中；检测模块，用以获取监控图形的尺寸偏差数据，并对尺寸偏差数据进行检测，以确保尺寸偏差数据在预设范围之内；以及光刻模块，用以将掩模版上的图形转移至晶圆上；其中，检测模块还用以对晶圆上的关键尺寸进行量测，获取晶圆上各个曝光区域内不同位置的量测数据；光刻模块用以根据量测数据调整曝光区域所需的曝光剂量，以提升晶圆的关键尺寸均匀性。通过本发明提供的一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统及处理方法，能够提升晶圆的关键尺寸均匀性。

本发明授权一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统及处理方法在权利要求书中公布了：1.一种提升晶圆的关键尺寸均匀性的处理系统，其特征在于，包括： 曝光模块，用以将监控图形曝光至掩模版的有效图形区域中； 检测模块，用以获取曝光于所述有效图形区域中的监控图形的尺寸偏差数据，并对所述尺寸偏差数据进行检测，以确保所述尺寸偏差数据在预设范围之内；以及 光刻模块，用以将所述掩模版上的图形转移至晶圆上； 其中，所述检测模块还用以对所述晶圆上的关键尺寸进行量测，获取所述晶圆上各个曝光区域内不同位置的量测数据； 所述光刻模块用以根据量测数据调整曝光区域所需的曝光剂量，以提升所述晶圆的关键尺寸均匀性； 所述监控图形包括至少三个依次相邻的图形单元，所述图形单元包括单独线条、单独间隙、密集线条以及密集间隙中的至少一种图形特征；按照所述关键尺寸从小到大的顺序对图形单元进行排序，三个所述图形单元被区分为第一图形单元、第二图形单元以及第三图形单元，所述第一图形单元的关键尺寸表示为1-N×M，所述第二图形单元的关键尺寸表示为M，所述第三图形单元的关键尺寸表示为1+N×M，其中，0.69≤N＜1.5。

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