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龙图腾网获悉杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利一种磁屏蔽消磁宽范围脉冲补偿电路及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120998630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511510618.7，技术领域涉及：H01F13/00；该发明授权一种磁屏蔽消磁宽范围脉冲补偿电路及装置是由马剑豪;蒋钱;沈恺;李江波;陈代勇;王朋飞设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁屏蔽消磁宽范围脉冲补偿电路及装置在说明书摘要公布了：本公开涉及磁屏蔽技术领域，公开了一种磁屏蔽消磁宽范围脉冲补偿电路及装置，初级储能单元通过第一充电元件为第一储能元件供电，第一控制元件调节第一储能元件充电速度；功率补偿单元以双路径向第二储能元件充电，第二控制元件投切实现功率补偿；谐振调制单元通过第三控制元件与谐振调节模块，维持消磁线圈欠阻尼振荡并调节谐振参数，消磁线圈生成消磁脉冲磁场。初级储能单元通过第一控制元件调节第一储能元件的充电速度，可灵活适配不同的工作模式，既能满足长期闲置后的快速补能需求，又能应对短时反复使用及单次大能量输出的场景，提升了电路的储能适应性与能量利用效率。

本发明授权一种磁屏蔽消磁宽范围脉冲补偿电路及装置在权利要求书中公布了：1.一种磁屏蔽消磁宽范围脉冲补偿电路，其特征在于，电路包括：初级储能单元、功率补偿单元、谐振调制单元与控制器，所述初级储能单元的输出端与所述功率补偿单元的输入端连接，所述功率补偿单元的输出端与所述谐振调制单元的输入端连接，所述控制器分别与所述初级储能单元、所述功率补偿单元以及所述谐振调制单元电连接； 所述初级储能单元包括第一充电元件、第一控制元件与第一储能元件，所述第一充电元件用于为所述第一储能元件供电，所述第一控制元件用于调节所述第一储能元件的充电速度； 所述功率补偿单元包括第二充电元件、第二控制元件与第二储能元件，所述第二充电元件与所述初级储能单元分别构成向所述第二储能元件充电的两条路径，所述第二控制元件用于控制所述第二储能元件的投切，以实现所述第一储能元件或所述第二储能元件对所述谐振调制单元的功率补偿； 所述谐振调制单元包括第三控制元件、谐振调节模块、消磁线圈与固有电阻，所述第三控制元件包括第五开关与第六开关，所述谐振调节模块包括谐振电容阵列与阻尼电阻阵列，所述消磁线圈为电感线圈；所述第三控制元件与所述谐振调节模块配合，用于维持所述消磁线圈在欠阻尼振荡的前提下调节谐振参数；所述消磁线圈用于产生消磁脉冲磁场；所述电感线圈、所述固有电阻、所述阻尼电阻阵列与所述谐振电容阵列构成RLC回路； 所述控制器，用于在消磁作业开始前，控制所述第五开关和所述第六开关投切所述阻尼电阻阵列与所述谐振电容阵列，以设定所述RLC回路的谐振参数，使所述RLC回路满足欠阻尼振荡条件。

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