江苏神州半导体科技有限公司潘小刚获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏神州半导体科技有限公司申请的专利一种低复合率气体解离腔体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120998768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511516271.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种低复合率气体解离腔体结构是由潘小刚;耿涛;程康;朱国俊设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低复合率气体解离腔体结构在说明书摘要公布了：本发明属于远程等离子体源技术领域，提供了一种低复合率气体解离腔体结构，包括进气口、进气端长腔体、短腔体、出气端长腔体、出气口、点火线、真空泵和出气口气体压力仪，进气端长腔体的上端和进气口连接，进气端长腔体接地；短腔体的上端和进气端长腔体的下端连接；出气端长腔体的上端和短腔体的下端连接，出气端长腔体接地；出气口和出气端长腔体的下端连接；点火线和短腔体连接；腔体内径；腔体长度，出气口直径S=L··，，取值范围为25%~35%。本发明通过增大气体解离腔体出气口面积，降低气体解离后自由基的复合率，进而高效产生活性自由基，为刻蚀沉积提供高反应通量，从而提高芯片产能和良率。
本发明授权一种低复合率气体解离腔体结构在权利要求书中公布了：1.一种低复合率气体解离腔体结构，其特征在于，包括： 进气口； 进气端长腔体，上端和所述进气口连接，所述进气端长腔体接地； 短腔体，上端和所述进气端长腔体的下端连接； 出气端长腔体，上端和所述短腔体的下端连接，所述出气端长腔体接地； 出气口，和所述出气端长腔体的下端连接； 点火线，和所述短腔体连接； 腔体内径， 其中，为德拜长度系数，为中心电子密度，为壁面电子密度； 腔体长度， 其中，为气流速度，为表面复合系数，为气体分子平均速度，为目标复合率； 出气口直径S=L·，为腔体内径S占腔体长度L的比例，取值范围为25%~35%。
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