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龙图腾网获悉西安唐晶量子科技有限公司申请的专利一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121008551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511511890.7，技术领域涉及：G05B19/418；该发明授权一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法是由龚平;刘邦;夏天文;范星;史康桥;王元设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件制造工艺控制技术领域，具体涉及一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法，其方法包括：根据VCSEL外延片生长过程中的工艺参数以及关键质量指标构建多回路的PID控制系统，在PID控制系统运行期间，对ARX模型进行在线辨识，计算能够表征系统稳态因果关系的稳态过程增益矩阵，根据稳态增益的符号辨识耦合作用方向，并计算对抗性耦合强度因子和协同性耦合强度因子，进而对PID控制器增益进行动态调整，以实现外延片生长过程控制。本发明在确保多变量控制系统整体稳定的前提下提升了各控制回路的响应速度与鲁棒性，有效降低了VCSEL外延片生长过程中因参数漂移和强耦合引起的层厚与组分波动，提高了外延片的生长精度。

本发明授权一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法，其特征在于，包括： 采集VCSEL外延片生长过程中的工艺参数以及关键质量指标； 根据工艺参数以及关键质量指标构建多回路的PID控制系统； 在PID控制系统运行期间，对ARX模型进行在线辨识，根据在线辨识出的ARX模型，计算能够表征系统稳态因果关系的稳态过程增益矩阵；根据稳态过程增益矩阵中稳态增益的符号辨识耦合作用方向，并分别计算对抗性耦合强度因子和协同性耦合强度因子，包括： 当时刻回路的控制器对回路的过程变量的耦合增益与时刻回路的控制器对回路的过程变量的主增益符号相反时，为对抗性耦合，对抗性耦合强度因子为，协同性耦合强度因子为；当时刻回路的控制器对回路的过程变量的耦合增益与时刻回路的控制器对回路的过程变量的主增益符号相同时，为协同性耦合，对抗性耦合强度因子为，协同性耦合强度因子为；其中，为防止分母为零的超参数； 基于所述对抗性耦合强度因子和协同性耦合强度因子对PID控制器增益进行动态调整，输出动态调整后的控制信号以实现外延片生长过程控制； 所述对PID控制器增益进行动态调整，包括： 为每一个回路设置一组基准增益参数，包括基准比例增益、基准积分增益以及基准微分增益；根据对抗性耦合强度因子以及协同性耦合强度因子基准增益参数分别对基准比例增益、基准积分增益以及基准微分增益进行动态调整，得到实际比例增益、实际积分增益以及实际微分增益；其中，时刻回路的实际比例增益为：，为时刻的对抗性抑制系数，为时刻的协同性抑制系数，且；为时刻回路对回路的对抗性耦合强度因子；为时刻回路对回路的协同性耦合强度因子。

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