北京大学贺明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511546499.0，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用是由贺明;郭欣蕊;朱玉;刘硕设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。该异质光电晶体管包括底栅衬底、底栅介质层以及依次堆叠于其上的异质结构，所述异质结构由铁电半导体铋氧硒层、亚硒酸氧铋介质层和铁电半导体α相硒化铟层构成，在铁电半导体α相硒化铟层两侧设有源漏电极。本发明利用双铁电层结构中铁电半导体自身的结构对称性破缺特性，实现对线性偏振光的方向敏感响应，同时，通过两层铁电半导体之间的极化耦合作用，辅以中间亚硒酸氧铋介质层对静电能的抑制和载流子迁移的阻挡，有效稳定极化状态，使器件具备显著的非易失电学特性。本发明可以实现光学信息在感知端的原位加密。
本发明授权一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于双铁电层的异质光电晶体管，其特征在于，所述异质光电晶体管包括底栅衬底、底栅介质层以及依次堆叠于其上的异质结构，所述异质结构自下而上由铁电半导体铋氧硒层、亚硒酸氧铋介质层和铁电半导体α相硒化铟层构成，在所述铁电半导体α相硒化铟层两侧设有源漏电极，所述铁电半导体铋氧硒层厚度在5-15nm范围内，所述亚硒酸氧铋介质层厚度在2-5nm范围内，所述铁电半导体α相硒化铟层厚度在20-40nm范围内。
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