西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学李晓茜获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511536474.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法是由李晓茜;王瑜;曾翔宇;韩根全设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法，包括如下具体步骤：步骤一：在衬底上生长氧化镓层；步骤二：在氧化镓层上光刻进行图案化处理；步骤三：对氧化镓层进行刻蚀处理；步骤四：在刻蚀后的氧化镓层上光刻形成氧化镓基底，并在氧化镓层表面沉积叠层金属，将氧化镓层和叠层金属从衬底上剥离后得到电极；步骤五：对电极进行退火处理使其合金化，并形成欧姆接触。本发明通过反应离子刻蚀对氧化镓层进行刻蚀处理，在氧化镓层内部诱导形成更多氧空位，从而有效增强氧化镓光电探测器在神经突触仿生应用中的突触特性；能够在降低制造成本与工艺难度的同时，更好地满足大规模产业化应用的需求。
本发明授权一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤： 步骤一：在衬底上生长氧化镓层； 步骤二：在氧化镓层上光刻进行图案化处理； 步骤三：对氧化镓层进行刻蚀处理；三氯化硼在等离子体激发下产生的二氯化硼阳离子与氧化镓中的氧离子发生反应并形成挥发性产物从而形成氧空位；氩离子作为物理溅射源轰击并破坏镓氧键结构，使氧原子从晶格中脱离从而形成氧空位； 步骤四：在刻蚀后的氧化镓层上光刻形成氧化镓基底，并在氧化镓层表面沉积叠层金属，将氧化镓层和叠层金属从衬底上剥离后得到电极； 步骤五：对电极进行退火处理使其合金化，并形成欧姆接触。
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