山东大学李阳获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种单畴κ-Ga2O3外延薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511535191.6，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种单畴κ-Ga2O3外延薄膜的制备方法是由李阳;展茜茜设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单畴κ-Ga2O3外延薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种单畴κ‑Ga22O33外延薄膜的制备方法，包括如下步骤：对蓝宝石衬底进行C面偏m轴斜切，斜切的角度为6°~10°，形成阶梯状台阶衬底；采用湿法刻蚀的方式对斜切后的蓝宝石衬底进行刻蚀处理；清洗、氮气吹扫后在氧气氛围下进行退火处理，获得预处理后的蓝宝石衬底；通过Mist‑CVD技术在预处理后的蓝宝石衬底上沉积粗单畴κ‑Ga22O33外延薄膜，随后在氧气氛围下进行原位退火获得单畴κ‑Ga22O33外延薄膜。本发明中通过对蓝宝石衬底表面斜切方向和斜切角度的限定引导κ‑Ga22O33以特定面内取向成核，从根本上抑制了因衬底表面对称性引发的多取向成核问题。
本发明授权一种单畴κ-Ga2O3外延薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单畴κ-Ga2O3外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1对蓝宝石衬底进行C面偏m轴斜切，斜切的角度为6°~10°，形成阶梯状台阶衬底；通过对蓝宝石衬底表面斜切方向和斜切角度的限定引导κ-Ga2O3以特定面内取向成核； 2采用湿法刻蚀的方式对斜切后的蓝宝石衬底进行刻蚀处理；清洗、氮气吹扫后在氧气氛围下进行退火处理，获得预处理后的蓝宝石衬底； 3通过雾化学气相沉积的方法在预处理后的蓝宝石衬底上沉积粗单畴κ-Ga2O3外延薄膜，随后在氧气氛围下进行原位退火获得单畴κ-Ga2O3外延薄膜； 步骤2中，湿法刻蚀使用的刻蚀液为硫酸与过氧化氢溶液的混合液； 步骤2中，退火处理的温度为750~850℃，退火处理的时间为25~40min，退火处理时的升温速率为8~12℃min。
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