浙江创豪半导体有限公司唐华获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创豪半导体有限公司申请的专利一种封装基板镭射钻孔方法、控制装置、电子装置及加工设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511546722.1，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权一种封装基板镭射钻孔方法、控制装置、电子装置及加工设备是由唐华;卢海林;张婷;王俊;冯新亮设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装基板镭射钻孔方法、控制装置、电子装置及加工设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种封装基板镭射钻孔方法、控制装置、电子装置及加工设备，其中，所述封装基板镭射钻孔方法，包括：获取待处理的封装基板，在所述封装基板的第一铜层和第二铜层的相对位置分别钻设盲孔，以使两个所述盲孔之间贯通并形成腰孔；基于腰孔的圆心位置与盲孔的圆心位置确定偏移误差量；基于所述偏移误差量，对加工参数进行修正，控制镭射加工设备基于修正后的加工参数对封装基板进行镭射钻孔。本申请通过建立基于坐标系与翻转方式的偏差分析模型，能够根据不同翻转方式下盲孔圆心与腰孔圆心之间的相对位置差，准确确定镭射加工设备在XY方向上的偏移误差量；此外，上述方法无需对基板进行破坏性处理，避免了样品损伤和报废风险。
本发明授权一种封装基板镭射钻孔方法、控制装置、电子装置及加工设备在权利要求书中公布了：1.一种封装基板镭射钻孔方法，其特征在于，应用于镭射加工设备，封装基板包括介质层、第一铜层和第二铜层，所述第一铜层和第二铜层分别设置于所述介质层相对设置的正反两面；所述方法包括： 获取待处理的封装基板，在所述封装基板的第一铜层和第二铜层的相对位置分别钻设盲孔，以使两个所述盲孔之间贯通并形成腰孔； 基于腰孔的圆心位置与盲孔的圆心位置确定偏移误差量和偏移方向； 基于所述偏移误差量和偏移方向，对镭射加工设备的加工参数进行修正，并控制镭射加工设备基于修正后的加工参数对封装基板进行镭射钻孔； 其中，所述基于腰孔的圆心位置与盲孔的圆心位置确定偏移误差量和偏移方向，包括： 根据所述封装基板分别绕不同预设翻转轴翻转，确定不同方向上的偏移误差量，所述预设翻转轴包括X轴和Y轴； 根据所述封装基板分别绕不同预设翻转轴翻转，确定不同方向上的偏移方向，所述偏移方向包括正方向偏移和负方向偏移。
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