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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种5kV超结碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511587540.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种5kV超结碳化硅VDMOS及其制备方法是由何佳;胡惠娜;张瑜洁;陈彤设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种5kV超结碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种5kV超结碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，得到漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一隔离层以及第二隔离层；离子注入，形成屏蔽层；淀积形成第一绝缘介质区、栅极金属层、第二绝缘介质区、低阻区、P型阱区、N型源区、P型源区及源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过设计的平面栅和沟槽栅的综合结构，实现了栅极高可靠和低导通电阻兼具。

本发明授权一种5kV超结碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种5kV超结碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述碳化硅VDMOS包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内设有第一隔离层、第二隔离层以及屏蔽层；所述第二隔离层位于屏蔽层正下方，所述第一隔离层以及第二隔离层的下侧面均与所述碳化硅衬底上侧面连接； 低阻区，所述低阻区下侧面连接至所述漂移层以及第一隔离层； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述低阻区； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述P型阱区； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区，所述P型源区内侧面连接至所述N型源区外侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下侧面连接至屏蔽层，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述低阻区内侧面、P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面； 所述制备方法包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，得到漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一隔离层以及第二隔离层； 步骤3、离子注入，形成屏蔽层； 步骤4、淀积形成第一绝缘介质区； 步骤5、淀积形成栅极金属层； 步骤6、淀积形成第二绝缘介质区，绝缘介质层包括第一绝缘介质区以及第二绝缘介质区； 步骤7、淀积形成低阻区； 步骤8、淀积形成P型阱区； 步骤9、淀积形成N型源区； 步骤10、淀积形成P型源区； 步骤11、淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤3至7、9至11的每一步骤之前，均需要去除上一步骤的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔。

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