晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511569345.3，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：在衬底上形成隔离层和对准标记；在隔离层上形成第一金属层、第一抗反射层和第一光阻层；经由所述第一光阻层对所述第一金属层进行刻蚀以形成第一导电层，所述第一导电层的表面被自然氧化形成第一氧化层；在所述隔离层和所述第一氧化层的表面上形成吸附层，所述吸附层与所述第一氧化层反应以去除所述第一氧化层。本申请提供的半导体器件及其制造方法，通过吸附层与第一氧化层发生置换还原反应来去除不想要的第一氧化层，后续采用原子层沉积工艺形成第二氧化层，从而在获得理想第二氧化层的情况下，大大改善制造工厂在生产半导体器件时的可量产性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其中，包括： 在衬底上形成隔离层和对准标记； 在隔离层上形成第一金属层、第一抗反射层和第一光阻层； 经由所述第一光阻层对所述第一金属层进行刻蚀以形成第一导电层，所述第一导电层的表面被自然氧化形成第一氧化层； 在所述隔离层和所述第一氧化层的表面上形成吸附层，所述吸附层与所述第一氧化层反应以去除所述第一氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励