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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种非定位、免提取的FIB制备与TKD表征一体化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121049313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511589206.7，技术领域涉及：G01N23/203；该发明授权一种非定位、免提取的FIB制备与TKD表征一体化的方法是由高尚;黄梦诗;刘海涛;姚兆月设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非定位、免提取的FIB制备与TKD表征一体化的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非定位、免提取的FIB制备与TKD表征一体化的方法，该方法包含：将前处理后的样品进行固定，放入双束电镜FIB‑SEM，选择加工区域；进行FIB的加工，先在样品的加工区域沉积保护层，然后采用离子束对样品的上面和下面减薄，减薄至电子束透明，再采用离子束对样品进行清扫以减少非晶层；最后进行TKD表征。本发明解决了现有技术中FIB制备的样品转移至铜网，且FIB‑TKD流程操作繁琐、易损坏样品且工作效率低的问题。本发明将FIB‑TKD联用，即省了提取时间又简化了步骤，提高了效率也降低了对样品大小的限制，对于瑕疵还可再次补救，还适用于非特定位置加工的块体、薄膜和颗粒。

本发明授权一种非定位、免提取的FIB制备与TKD表征一体化的方法在权利要求书中公布了：1.一种非定位、免提取的FIB制备与TKD表征一体化的方法，其特征在于，该方法包含： 步骤一、将样品进行固定，放入双束电镜FIB-SEM，使用SEM选择加工区域，利用SEM发射电子束在加工区域上沉积电子束保护层； 步骤二、进行FIB的加工，具体如下： 1旋转角度，使离子束与样品的待加工面保持平行，利用FIB发射离子束在所述电子束保护层上沉积离子束保护层； 2在保护层上方和下方区域，使用离子束流进行粗刻蚀；在靠近保护层的区域，使用离子束流进行细刻蚀；经细刻蚀后，保护层区域相对于两侧被刻蚀区形成2μm~10μm的凸台； 3调整角度，采用离子束流依次对刻蚀后样品的上面和下面减薄；然后采用离子束流对减薄后样品的上面和下面进行清扫； 步骤三、电镜样品台旋转角度，使得样品下底面与水平面呈20°，插入电子背散射衍射EBSD探测器，进行TKD表征； 在步骤二中，将样品倾斜，倾斜后样品待加工的下底面与水平面的夹角为34°或36°； 在步骤二的3中，减薄后的样品的薄区厚度小于100nm。

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