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龙图腾网获悉杭州胜金微电子有限公司申请的专利一种高压摆率的线性驱动放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121055911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511587019.5，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权一种高压摆率的线性驱动放大器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压摆率的线性驱动放大器在说明书摘要公布了：本申请属于集成电路技术领域，公开了一种高压摆率的线性驱动放大器，包括依次连接的推挽电流输入模块、功耗控制模块和推挽输出模块，推挽电流输入模块包括上拉电流晶体管、下拉电流晶体管、第一单向通路、第二单向通路和推挽电流支路；推挽电流支路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；上拉电流晶体管的源极和下拉电流晶体管的源极连接；第一单向通路的正极连接上拉电流晶体管的漏极，负极连接第一NMOS管的漏极；第二单向通路的正极连接第二PMOS管的漏极，负极连接下拉电流晶体管的漏极。本申请能够使各个MOS管始终工作在饱和区，避免了输入电流快速变化时导致的压摆率降低。

本发明授权一种高压摆率的线性驱动放大器在权利要求书中公布了：1.一种高压摆率的线性驱动放大器，包括依次连接的推挽电流输入模块、功耗控制模块和推挽输出模块，其特征在于，所述推挽电流输入模块包括： 上拉电流晶体管、下拉电流晶体管、第一单向通路、第二单向通路和推挽电流支路； 所述上拉电流晶体管为NMOS管，所述下拉电流晶体管为PMOS管；所述推挽电流支路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；所述推挽电流支路还包括第三NMOS管、第四NMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管； 所述第一NMOS管的栅极分别连接所述第一NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极； 所述第二NMOS管的栅极分别连接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的源极； 所述第一PMOS管的栅极分别连接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极； 所述第二PMOS管的栅极分别连接所述第二PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极；所述第二PMOS管的漏极接地；所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极连接；所述第四NMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极连接； 所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极连接；所述第三NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极均与所述功耗控制模块连接； 所述上拉电流晶体管的源极和所述下拉电流晶体管的源极连接；所述第一单向通路的正极连接所述上拉电流晶体管的漏极，负极连接第一NMOS管的漏极；所述第二单向通路的正极连接所述第二PMOS管的漏极，负极连接所述下拉电流晶体管的漏极； 所述上拉电流晶体管的栅极和所述下拉电流晶体管的栅极连接，并与所述第二NMOS管的源极、所述第一PMOS管的源极连接；所述上拉电流晶体管的源极和所述下拉电流晶体管的源极连接，并与所述第四NMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极连接。

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