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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利场效应晶体管沟道迁移率的确定方法、装置和计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511605799.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权场效应晶体管沟道迁移率的确定方法、装置和计算机设备是由胡子健;盛况;任娜;邓永辉设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本场效应晶体管沟道迁移率的确定方法、装置和计算机设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种场效应晶体管沟道迁移率的确定方法、装置和计算机设备。所述方法包括：获取目标场效应晶体管的转移特性曲线；根据所述目标场效应晶体管的转移特性曲线，确定目标场效应晶体管的栅极电压对应的目标有效电场强度区间；根据体迁移率模型，确定目标场效应晶体管的晶体管体迁移率；基于目标有效电场强度区间，根据目标库伦散射迁移率模型、目标声子散射迁移率模型和目标表面粗糙度散射迁移率模型，确定目标场效应晶体管的库伦散射迁移率、声子散射迁移率和表面粗糙度散射迁移率；再基于沟道迁移率模型，确定目标场效应晶体管的沟道迁移率。上述方案，能够快速有效的评估器件性能，避免复杂的分析测试，加快器件工艺的开发速度。

本发明授权场效应晶体管沟道迁移率的确定方法、装置和计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管沟道迁移率的确定方法，其特征在于，包括： 在目标场效应晶体管的栅极施加预设时间的目标栅极应力，在目标栅极应力施加结束后，获取目标场效应晶体管的转移特性曲线； 根据所述目标场效应晶体管的转移特性曲线，确定目标场效应晶体管的栅极电压对应的目标有效电场强度区间； 根据体迁移率模型，确定目标场效应晶体管的晶体管体迁移率； 基于目标有效电场强度区间，根据目标库伦散射迁移率模型、目标声子散射迁移率模型和目标表面粗糙度散射迁移率模型，确定目标场效应晶体管的库伦散射迁移率、声子散射迁移率和表面粗糙度散射迁移率； 基于沟道迁移率模型，根据目标场效应晶体管的晶体管体迁移率、库伦散射迁移率、声子散射迁移率和表面粗糙度散射迁移率，确定目标场效应晶体管的沟道迁移率； 所述沟道迁移率模型包括：μ=11μb+1μc+1μp+1μsr；其中，μ为沟道迁移率，μb为晶体管体迁移率，μc为库伦散射迁移率、μp为声子散射迁移率，μsr为表面粗糙度散射迁移率； 所述目标库伦散射迁移率模型包括：μc=Ac×Eeffαc； 其中，μc为库伦散射迁移率，Ac为库伦散射迁移率模型的拟合参数，Eeffαc为目标有效电场强度区间中的第一有效电场强度区间； 所述目标声子散射迁移率模型包括：μp=Ap×Eeffαp； 其中，μp为声子散射迁移率，Ap为目标声子散射迁移率模型的拟合参数，Eeffαp为目标有效电场强度区间中的中第二有效电场强度区间； 所述目标表面粗糙度散射迁移率模型包括：μsr=Asr×Eeffαsr 其中，μsr为表面粗糙度散射迁移率，Asr为目标表面粗糙度散射迁移率模型的拟合参数，Eeffαsr为目标有效电场强度区间中的高第三有效电场强度区间； 第三有效电场强度区间的电场强度大于第二有效电场强度区间的电场强度；第二有效电场强度区间的电场强度大于第一有效电场强度区间的电场强度。

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