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龙图腾网获悉中天微(天津)电子科技有限公司申请的专利一种高安全性纳秒量级延时的晶体管测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511617182.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种高安全性纳秒量级延时的晶体管测试系统及方法是由胡志昊;罗锋;胡文平;李牧恩;张纪轩设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高安全性纳秒量级延时的晶体管测试系统及方法在说明书摘要公布了：一种高安全性纳秒量级延时的晶体管测试系统及方法，属于晶体管测试领域，能在保证测试系统及实验人员安全的基础上，基于纳秒量级测量延时测试待测晶体管在任意漏极电压应力值、漏极电压应力时长、负载电流时晶体管特性。电路包括：开关SS11,SS22,SS33，电阻RRAA,RRCC,肖特基二极管DD11,DD22，功率电感LL，电源VVDDDD。控制开关SS11导通时间可以控制后级电路承受高压电VVDDDD的时长；控制开关SS22导通时间可以控制功率电感LL充电结束时电流值；测试开关SS33的电压、电流，可以得知开关SS33开关瞬态特性、导通电阻特性等。仿真及实验证明漏极电压应力结束切换到测试状态的测量延时为纳秒量级，且不存在“串联开关误开通导致大电流贯通”的情况，电路安全性更高。

本发明授权一种高安全性纳秒量级延时的晶体管测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种高安全性纳秒量级延时的晶体管测试系统，其特征在于，测试系统包括开关S1,S2,S3，电阻RA,RC,肖特基二极管D1,D2，功率电感L，电源VDD； 其中：开关S1的一端连接电源VDD，开关S1的另一端连接电阻RA的一端、肖特基二极管D1的负极、功率电感L的一端、电阻RC的一端，电阻RA的另一端连接GND，肖特基二极管D1的正极连接功率电感L的另一端、开关S2的一端、肖特基二极管D2的正极，开关S2的另一端连接GND，肖特基二极管D2的负极连接电阻RC的另一端、开关S3的一端，开关S3的另一端连接GND； 控制开关S1,S2,S3是绝缘栅型场效应晶体管MOSFET、结型场效应晶体管JFET、双极结型晶体管BJT、绝缘栅双极型晶体管IGBT、高电子迁移率晶体管HEMT，或是继电器、栅极驱动芯片中的一种； 通过三个开关的开关状态实现纳秒量级延时的晶体管可靠性测试。

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