合肥晶合集成电路股份有限公司胡荣健获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121075909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511623658.2，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件是由胡荣健;邹兰梅;詹朝翔;余义祥设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件。所述易于剥离的金属堆叠膜层结构包括沿预设方向依次堆叠形成的金属层、中间层和掩膜层；所述中间层的材质为聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸；对所述金属层上的掩膜层进行剥离时，通过清洗液溶解去除所述中间层，使得所述掩膜层脱离所述金属层。其能达到无伤去除掩膜层的效果。
本发明授权易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种易于剥离的金属堆叠膜层结构，其特征在于，包括沿预设方向依次堆叠形成的金属层、中间层和掩膜层； 所述中间层的材质为聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸； 对所述金属层上的掩膜层进行剥离时，通过清洗液溶解去除所述中间层，使得所述掩膜层脱离所述金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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