中国科学院长春光学精密机械与物理研究所田思聪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利多有源区半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121097505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511624198.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权多有源区半导体激光器及其制备方法是由田思聪;薛晓娥;吴承坤;艾星辰;崔晓宁;郑思睿;迪特尔·宾贝格设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本多有源区半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种多有源区半导体激光器及其制备方法，多有源区半导体激光器包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的N面电极、衬底缓冲层、第一N型包层、第一波导层、第一P型包层、隧穿结、第二N型包层、第二波导层以及第二P型包层；在堆叠结构内间隔排布的调控沟道，相邻两个调控沟道之间的堆叠结构作为第一中心波导；限制沟道，限制沟道位于第一中心波导内，限制沟道远离相邻的调控沟道的一侧的堆叠结构作为第二中心波导，第二中心波导的顶面为电流注入区，第二中心波导外的剩余堆叠结构为非注入区。本发明至少有利于提供一种光束质量好、远场受电流影响小且亮度高的多有源区半导体激光器。
本发明授权多有源区半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多有源区半导体激光器，其特征在于，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括依次堆叠的N面电极、衬底缓冲层、第一N型包层、第一波导层、第一P型包层、隧穿结、第二N型包层、第二波导层以及第二P型包层，其中，所述第一波导层包括第一有源层，所述第二波导层包括第二有源层； 在所述堆叠结构内间隔排布的调控沟道，各调控沟道沿所述堆叠结构的厚度方向贯穿第二P型包层、第二波导层、第二N型包层以及隧穿结并延伸至第一P型包层内，相邻两个调控沟道之间的堆叠结构作为第一中心波导； 限制沟道，所述限制沟道位于所述第一中心波导内，且所述限制沟道沿所述堆叠结构的厚度方向延伸至第二P型包层内，所述限制沟道与相邻的所述调控沟道间隔排布，所述限制沟道远离相邻的所述调控沟道的一侧的所述堆叠结构作为第二中心波导，所述第二中心波导的顶面为电流注入区，所述第二中心波导外的剩余所述堆叠结构为非注入区。
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