合肥晶合集成电路股份有限公司朱海龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511649809.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朱海龙设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差；在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层；减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面；对所述第二器件中的栅极结构上方的所述多晶硅层进行回蚀刻，回蚀刻的距离为所述高度差；去除所述牺牲层，并将剩余的所述多晶硅层氧化。本申请提供的半导体器件及其制造方法，通过对第一器件的栅极高度进行补偿，以降低第一器件和第二器件的栅极高度差异。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底和栅极结构，所述衬底包括用于形成至少一个第一器件的第一区域和形成至少一个第二器件的第二区域，所述第一器件的栅极结构的高度小于所述第二器件的栅极结构的高度； 检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差； 在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层； 减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面； 对所述第二器件中的栅极结构上方的所述多晶硅层进行回蚀刻，回蚀刻的距离为所述高度差； 去除所述牺牲层，并将剩余的所述多晶硅层氧化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励