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龙图腾网获悉上海季丰电子股份有限公司;深圳季丰检测技术有限公司申请的专利一种扫描电子显微镜的放大倍率校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121114114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511651848.5，技术领域涉及：G01N23/2251；该发明授权一种扫描电子显微镜的放大倍率校准方法是由王远远;张正飞;郑朝晖设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种扫描电子显微镜的放大倍率校准方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供了一种扫描电子显微镜的放大倍率校准方法。该方法包括：在TEM成像模式下，确定TEM样品的关键结构的TEM测量数据，所述TEM样品为已知工艺结构尺寸或具有清晰晶格条纹的TEM样品；在SEM成像模式下，确定所述TEM样品的关键结构在不同SEM放大倍率下的SEM测量数据集；基于所述TEM测量数据和SEM测量数据集，校准扫描电子显微镜的各个SEM放大倍率。本申请操作简便，无需依赖标准样品、校准成本更低，且校准的精确度更高。

本发明授权一种扫描电子显微镜的放大倍率校准方法在权利要求书中公布了：1.一种扫描电子显微镜的放大倍率校准方法，其特征在于，包括： 在TEM成像模式下，确定TEM样品的关键结构的TEM测量数据，所述TEM样品为已知工艺结构尺寸或具有清晰晶格条纹的TEM样品；所述关键结构是指芯片中的通孔结构； 在SEM成像模式下，确定所述TEM样品的关键结构在不同SEM放大倍率下的SEM测量数据集；所述SEM测量数据集包括多个第一SEM测量数据，一个第一SEM测量数据对应一个第一SEM放大倍率； 基于所述TEM测量数据和SEM测量数据集，校准扫描电子显微镜的各个SEM放大倍率； 确定TEM样品的关键结构的TEM测量数据，包括： 获取所述TEM样品在目标TEM放大倍率下的目标TEM图像； 在所述目标TEM图像中查找出所述TEM样品的关键结构对应的第一图像区域，并基于所述第一图像区域的第一图像特征信息，确定所述TEM样品的关键结构在所述目标TEM放大倍率下的TEM测量数据；所述第一图像特征信息是指第一图像区域中TEM样品的关键结构的特征点的位置； 确定所述TEM样品的关键结构在不同SEM放大倍率下的SEM测量数据集，包括： 若所述TEM样品为导体样品，则在第一测量条件下，获取所述TEM样品在不同SEM放大倍率下的第一SEM图像集，所述第一SEM图像集包括多张第一SEM图像，一张第一SEM图像对应一个第一SEM放大倍率； 针对每一张第一SEM图像，查找所述第一SEM图像中与所述TEM样品的关键结构对应的第二图像区域； 基于所述第二图像区域对应的第二图像特征信息，确定所述TEM样品的关键结构在所述第一SEM图像对应的第一SEM放大倍率下的第一SEM测量数据；所述第二图像特征信息是指第二图像区域中TEM样品的关键结构的特征点的位置； 基于所述TEM测量数据和SEM测量数据集，校准扫描电子显微镜的各个SEM放大倍率，包括： 针对每一个第一SEM放大倍率，计算所述TEM测量数据与所述第一SEM测量数据之间的测量误差值； 若所述测量误差值大于预设阈值，则将所述第一SEM放大倍率标记为待校准SEM放大倍率； 获取所述TEM样品的关键结构在所述待校准SEM放大倍率下的目标图像区域的目标图像特征信息； 基于所述目标图像特征信息和TEM测量数据，计算实际SEM放大倍率；所述实际SEM放大倍率根据如下公式计算得到：，其中，表示实际SEM放大倍率；表示TEM样品的关键结构在的目标TEM放大倍率下实际尺寸；表示目标图像区域中TEM样品的关键结构的像素数量；P表示目标图像区域中TEM样品的关键结构的像素尺寸； 将所述待校准SEM放大倍率修正为所述实际SEM放大倍率。

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