晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司郝永豪获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利芯片失效类型的测试方法及测试电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121114737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511673091.X,技术领域涉及:G01R31/28;该发明授权芯片失效类型的测试方法及测试电路是由郝永豪;储浩;张翼;孔祥炜;钟敏设计研发完成,并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片失效类型的测试方法及测试电路在说明书摘要公布了:本申请公开了一种芯片失效类型的测试方法及测试电路,测试方法包括:以多个不同的测试电压对所述芯片进行列模式测试,并获得包含失效位信息的第一测试结果;开启第一辅助模块,以多个不同的测试电压对所述芯片进行列模式测试,并获得包含失效位信息的第二测试结果;其中,以大于等于芯片的工作电压的测试电压对所述芯片进行测试时,若关闭所述第一辅助模块下的失效点在开启所述第一辅助模块时有效,则该失效点属于软失效。本申请的芯片失效类型的测试方法及测试电路,在开启或关闭辅助模块的情况下,以不同的测试电压下对芯片进行列测试,根据输出结果进行软失效和硬失效的分类。
本发明授权芯片失效类型的测试方法及测试电路在权利要求书中公布了:1.一种芯片失效类型的测试方法,包括: 以多个不同的测试电压对所述芯片进行测试,并获得包含失效位信息的第一测试结果,多个不同的所述测试电压包括:至少一个小于芯片的工作电压的测试电压、等于芯片的工作电压的测试电压以及至少一个大于芯片的工作电压的测试电压; 开启第一辅助模块,以多个不同的测试电压对所述芯片进行测试,并获得包含失效位信息的第二测试结果,所述第一辅助模块为位线辅助模块和字线辅助模块中的一种; 其中,以大于等于芯片的工作电压的测试电压对所述芯片进行测试时,若关闭所述第一辅助模块下的失效点在开启所述第一辅助模块时有效,则该失效点属于软失效。
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