合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666098.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其制作方法是由刘苏涛设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域。半导体结构的制作方法包括：提供衬底，于衬底内形成功能层；其中，功能层包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，及设置于第一掺杂区和第二掺杂区之间的隔离结构；分别在第一掺杂区和第二掺杂区上制作栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层、栅极和栅极侧墙；制作离子阻挡层，所述离子阻挡层至少露出第一掺杂区中的源极制备区域和漏极制备区域；制作缓冲层，所述缓冲层至少覆盖第一掺杂区的栅极结构，所述缓冲层为多孔结构；对缓冲层进行离子注入，将缓冲层的表层转换为加固层。通过该方法形成的缓冲层和加固层可以很好的保护栅极结构，避免栅极结构发生损坏。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，于衬底内形成功能层；其中，功能层包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，及设置于第一掺杂区和第二掺杂区之间的隔离结构； 分别在第一掺杂区和第二掺杂区上制作栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层、栅极和栅极侧墙； 在第二掺杂区上制作离子阻挡层，所述离子阻挡层至少露出第一掺杂区中的源极制备区域和漏极制备区域； 制作缓冲层，所述缓冲层至少覆盖第一掺杂区的栅极结构，所述缓冲层为多孔结构； 对缓冲层进行离子注入，将缓冲层的表层转换为加固层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励