北京航空航天大学合肥创新研究院白致铭获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学合肥创新研究院申请的专利一种两步部分氧化提高MXene材料吸波性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121225596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511767011.7，技术领域涉及：C01B32/921；该发明授权一种两步部分氧化提高MXene材料吸波性能的方法是由白致铭;闫辛萍;王博;刘兴科;姜子沐;巴新鹏;陈旭东设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种两步部分氧化提高MXene材料吸波性能的方法在说明书摘要公布了：本发明属于吸波材料制备技术领域，公开了一种两步部分氧化提高MXene材料吸波性能的方法。通过对MXene材料进行水热预氧化和热处理在其表面原位生长氧化物纳米颗粒，实现可控的部分氧化；所述MXene基体保留二维层状结构，所述氧化物纳米颗粒与所述MXene基体之间形成异质界面，调节电导率，优化阻抗匹配，增强界面极化，提升吸波性能，并具备高温稳定性。
本发明授权一种两步部分氧化提高MXene材料吸波性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种两步部分氧化提高MXene材料吸波性能的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将MXene粉末与去离子水混合后进行水热反应，得到初步氧化的MXene悬浮液； S2、对S1所得悬浮液进行洗涤、离心和干燥，得到初步氧化的MXene固体粉末； S3、将S2所得粉末在空气气氛下进行热处理，热处理温度为300-600℃，空气气氛下保温，将所得混合物随炉冷却至室温，得到复合吸波材料； 所述MXene为TiVCTx； 步骤S3所述热处理后，TiVCTx基体保留二维层状结构，并在其表面原位生长出由TiVCTx部分氧化生成的TiO2和V2O5纳米颗粒。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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