深圳市新炬芯半导体有限公司杨东获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市新炬芯半导体有限公司申请的专利一种肖特基二极管成品覆膜装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223850952U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423155714.8，技术领域涉及：B65B35/56；该实用新型一种肖特基二极管成品覆膜装置是由杨东;徐韧;何建军设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基二极管成品覆膜装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种肖特基二极管成品覆膜装置，具体涉及二极管成品覆膜技术领域，包括底座，底座上设置有多个呈圆周阵列布置的第一连接杆，第一连接板上开设有槽口，槽口内滑动设置有框架，框架内设置有多个呈线性阵列布置的放置板，放置板上开设有多个呈线性阵列布置的放置槽，放置槽内设置有固定件，固定件为弧状。该实用新型提供的肖特基二极管成品覆膜装置，通过底座上的多个第一连接杆将第一连接板固定，通过第一连接板上的槽口使框架在槽口内上下移动，通过框架上的放置板来放置多个二极管，通过放置板上的多个放置槽将二极管进行固定，通过放置槽内的固定件实现了将二极管固定的同时，不会对二极管造成损坏。
本实用新型一种肖特基二极管成品覆膜装置在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管成品覆膜装置，其特征在于，包括底座1，所述底座1上设置有多个呈圆周阵列布置的第一连接杆10，多个所述第一连接杆10上设置有第一连接板11，所述第一连接板11上开设有槽口16，所述槽口16内滑动设置有框架17，所述框架17内设置有多个呈线性阵列布置的放置板22，所述放置板22上开设有多个呈线性阵列布置的放置槽23，所述放置槽23内设置有固定件27，所述固定件27为弧状。
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