台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利垂直相变化记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859528U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520194883.8，技术领域涉及：H10B63/10；该实用新型垂直相变化记忆体装置是由廖诗瑀;程仲良设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直相变化记忆体装置在说明书摘要公布了：一种垂直相变化记忆体装置，包含：装置层；以及位于装置层上的互连结构，互连结构包含相变化随机存取记忆体PCRAM装置。相变化随机存取记忆体装置包含：位于装置层上的电极层；位于电极层上的氧化物半导体层；环绕氧化物半导体层的栅极结构；位于栅极结构上的绝缘层；以及相变化电阻器。相变化电阻器包含：位于氧化物半导体层上的底部电极；位于底部电极上的相变化层；以及位于相变化层上的顶部电极。
本实用新型垂直相变化记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直相变化记忆体装置，其特征在于，包括： 一装置层；以及 一互连结构，位于该装置层上，该互连结构包含一相变化随机存取记忆体装置，该相变化随机存取记忆体装置包含： 一电极层，位于该装置层上方； 一氧化物半导体层，位于该电极层上； 一栅极结构，环绕该氧化物半导体层； 一绝缘层，位于该栅极结构上；以及 一相变化电阻器，包含： 一底部电极，位于该氧化物半导体层上； 一相变化层，位于该底部电极上；以及 一顶部电极，位于该相变化层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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