江苏芯长征微电子集团股份有限公司吴凯获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司申请的专利一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859529U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520348954.5，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块是由吴凯;邓小社;张广银;杨飞;刘辉;钱烽;朱阳军设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块。该器件包括半导体层、有源区及接触孔单元。半导体层包括第一导电类型掺杂层。有源区位于半导体层中，包括至少一元胞。元胞包括贯穿第一导电类型掺杂层的至少一第一沟槽栅及第二沟槽栅，相邻的第一沟槽栅及第二沟槽栅之间具有第二导电类型掺杂区及第一导电类型接触区，第二导电类型掺杂区与第一沟槽栅邻接，第一导电类型接触区与第二沟槽栅邻接。接触孔单元包括贯穿第一导电类型掺杂层的一部分的多个第一电极接触孔，第一导电类型接触区位于第一电极接触孔底部。该器件具有较低导通压降及较高功率密度，且可靠性有所保证。该功率模块具有多个并联连接的该器件，具有高功率密度及高可靠性。
本实用新型一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块在权利要求书中公布了：1.一种超窄台面沟槽IGBT器件，其特征在于，包括： 半导体层，包括第一导电类型掺杂层； 有源区，位于所述半导体层中，所述有源区包括至少一元胞，所述元胞包括至少一第一沟槽栅及至少一第二沟槽栅，所述第一沟槽栅及所述第二沟槽栅均贯穿所述第一导电类型掺杂层，相邻的所述第一沟槽栅及所述第二沟槽栅之间具有第二导电类型掺杂区及第一导电类型接触区，所述第二导电类型掺杂区与所述第一沟槽栅邻接，所述第一导电类型接触区与所述第二沟槽栅邻接； 接触孔单元，包括多个第一电极接触孔，所述第一电极接触孔贯穿所述第一导电类型掺杂层的一部分，且所述第一导电类型接触区位于所述第一电极接触孔的底部。
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