珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司李凯获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859530U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423207342.9，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型MOS器件是由李凯设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOS器件在说明书摘要公布了：本申请公开了MOS器件，包括：多个源区结构，源区结构沿第一方向间隔设置在外延层中，第一方向平行于衬底与外延层接触的表面，其中，外延层中位于相邻的任意两个源区结构之间的区域为外延层区域；栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构和至少一个第二栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极和第一栅氧层，第二栅极结构包括第二栅极和第二栅氧层，第一栅氧层分别位于外延层区域背离衬底的一侧和部分源区结构背离衬底的一侧，第一栅极位于第一栅氧层背离衬底的一侧，第二栅极结构位于外延层区域中，第一栅极与第二栅极接触，第一栅氧层与第二栅氧层接触。以解决相关技术中JFET区域的导通电阻较大的问题。
本实用新型MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的外延层，所述MOS器件还包括： 多个源区结构，所述源区结构沿第一方向间隔设置在所述外延层中，所述第一方向平行于所述衬底与所述外延层接触的表面，其中，所述外延层中位于相邻的任意两个所述源区结构之间的区域为外延层区域； 栅极结构，所述栅极结构包括第一栅极结构和至少一个第二栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极和第一栅氧层，所述第二栅极结构包括第二栅极和第二栅氧层，所述第一栅氧层分别位于所述外延层区域背离所述衬底的一侧和部分所述源区结构背离所述衬底的一侧，所述第一栅极位于所述第一栅氧层背离所述衬底的一侧，所述第二栅极结构位于所述外延层区域中，所述第一栅极与所述第二栅极接触，所述第一栅氧层与所述第二栅氧层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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