台湾积体电路制造股份有限公司叶德夫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利纳米结构装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859532U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520190722.1，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型纳米结构装置是由叶德夫;郑钧智;杜政杰;洪若珺;庄英良设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米结构装置在说明书摘要公布了：一种纳米结构装置包括第一纳米结构堆叠、第二纳米结构堆叠、第一栅极结构以及第二栅极结构。第一纳米结构堆叠在第一区域中。第二纳米结构堆叠在第二区域中。第一栅极结构环绕第一纳米结构堆叠。第一栅极结构包括第一栅极介电质以及第一栅极金属。第一栅极介电质具有至少两个第一角落区域。第一栅极金属在第一栅极介电质上。第二栅极结构环绕第二纳米结构堆叠。第二栅极结构包括第二栅极介电质、过渡金属氮化物层以及第二栅极金属。第二栅极介电质具有至少两个第二角落区域。过渡金属氮化物层在第二栅极介电质上。第二栅极金属在过渡金属氮化物层上。
本实用新型纳米结构装置在权利要求书中公布了：1.一种纳米结构装置，其特征在于，包括： 一第一纳米结构堆叠，在一第一区域中； 一第二纳米结构堆叠，在一第二区域中； 一第一栅极结构，环绕该第一纳米结构堆叠，该第一栅极结构包括： 一第一界面层； 一第一栅极介电质，位于该第一界面层上，具有至少两个第一角落区域，所述至少两个第一角落区域位于该第一纳米结构堆叠的一第一最顶部纳米结构的一第一上部角落；及 一第一栅极金属，在该第一栅极介电质上；及 一第二栅极结构，环绕该第二纳米结构堆叠，该第二栅极结构包括： 一第二界面层； 一第二栅极介电质，位于该第二界面层上，具有至少两个第二角落区域，所述至少两个第二角落区域位于该第二纳米结构堆叠的一第二最顶部纳米结构的一第二上部角落； 一过渡金属氮化物层，在该第二栅极介电质上；及 一第二栅极金属，在该过渡金属氮化物层上。
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