湖南元芯传感科技有限责任公司宋嘉诚获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南元芯传感科技有限责任公司申请的专利一种IGZO底栅器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859534U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520157222.8，技术领域涉及：H10D30/67；该实用新型一种IGZO底栅器件是由宋嘉诚;周鑫宇;邓仕明设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGZO底栅器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种IGZO底栅器件，包括：衬底层结构；设置在衬底层结构上的栅极层结构；覆盖设置在衬底层结构和栅极层结构上的绝缘层结构；设置在绝缘层结构上，且位于栅极层结构上方的沟道层结构，沟道层结构具体为半导体沟道材料的沟道层结构；设置在绝缘层结构上的源电极绝缘层结构和漏电极绝缘层结构，源电极绝缘层结构搭设在沟道层结构的一端，漏电极绝缘层结构搭设在沟道层结构的另一端；绝缘层结构设置有栅极触点开孔绝缘层结构，栅极触点开孔绝缘层结构连通至栅极层结构的表面，本实用新型提供的技术方案，相对于现有技术而言，其能够有助于实现器件阈值电压的均匀分布，提升器件结构的稳定性。
本实用新型一种IGZO底栅器件在权利要求书中公布了：1.一种IGZO底栅器件，其特征在于，包括： 衬底层结构1； 设置在所述衬底层结构1上的栅极层结构2； 覆盖设置在所述衬底层结构1和所述栅极层结构2上的绝缘层结构3； 设置在所述绝缘层结构3上，且位于所述栅极层结构2上方的沟道层结构4，所述沟道层结构4具体为半导体沟道材料的沟道层结构； 设置在所述绝缘层结构3上的源电极501和漏电极502，所述源电极501搭设在所述沟道层结构4的一端，所述漏电极502搭设在所述沟道层结构4的另一端； 所述绝缘层结构3设置有栅极触点开孔301，所述栅极触点开孔301连通至所述栅极层结构2的表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南元芯传感科技有限责任公司，其通讯地址为：411100 湖南省湘潭市高新区双马街道晓塘路9号创新大厦1618室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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