东科半导体(安徽)股份有限公司傅向阳获国家专利权
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龙图腾网获悉东科半导体(安徽)股份有限公司申请的专利一种SOP16封装10引脚合封电源芯片的AHB架构GaN封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223859654U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423053716.6,技术领域涉及:H10W40/22;该实用新型一种SOP16封装10引脚合封电源芯片的AHB架构GaN封装结构是由傅向阳设计研发完成,并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOP16封装10引脚合封电源芯片的AHB架构GaN封装结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及一种SOP16封装10引脚合封电源芯片的AHB架构GaN封装结构,属于集成电路技术领域,所述封装结构包括第一基岛、第二基岛、GaN控制主芯片、第一功率GaN管芯片及第二功率GaN管芯片,所述GaN控制主芯片及所述第二功率GaN管芯片设置在第二基岛中,所述第一功率GaN管芯片设置在第一基岛中,接口端包括输入端VIN、HB、VCCH、XCD、VCC、输出端CS、控制端VS、FB及接地端GND1和GND2,本封装结构将第一引脚、第二引脚及第三引脚合并,将第十二引脚及第十三引脚合并,将第十五引脚及第十六引脚合并散热,将第十引脚和第十四引脚去掉,引脚数量控制为10组,保证GaN驱动控制的需求,节省设计面积。
本实用新型一种SOP16封装10引脚合封电源芯片的AHB架构GaN封装结构在权利要求书中公布了:1.一种SOP16封装10引脚合封电源芯片的AHB架构GaN封装结构,其特征在于:包括: 第一基岛,所述第一基岛上设置第一功率GaN管芯片,所述第一基岛通过导电胶与所述第一功率GaN管芯片粘合; 第二基岛,所述第二基岛上设置GaN控制主芯片和第二功率GaN管芯片,所述第二基岛通过导电胶与所述第二功率GaN管芯片和第一功率GaN管芯片粘合; 接口端,所述接口端包括输入端VIN、HB、VCCH、XCD、VCC、输出端CS、控制端VS、FB及接地端GND1及GND2,本结构将16组引脚缩减为10组引脚,其中第一引脚、第二引脚及第三引脚合并为引脚GND1进行散热,所述引脚GND1将所述接地端GND1引出,第四引脚作为引脚CS引出输出端CS,第五引脚作为引脚VS引出控制端VS,第六引脚作为引脚FB引出控制端FB,第七引脚作为引脚VCC引出输入端VCC,第八引脚作为引脚GND2引出接地端GND2,第九引脚作为引脚XCD引出输入端XCD,将第十引脚及第十四引脚取消,将第十一引脚作为引脚VCCH引出输入端VCCH,将第十二引脚及第十三引脚合并作为引脚HB引出输入端CS,将第十五引脚及第十六引脚合并作为引脚VIN引出输入端VIN。
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