珠海镓未来科技有限公司郭超凡获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利带有氮化镓通孔的半导体器件及对应的半导体芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859664U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520426287.8，技术领域涉及：H10W70/63；该实用新型带有氮化镓通孔的半导体器件及对应的半导体芯片是由郭超凡;张铭宏;高吴昊设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有氮化镓通孔的半导体器件及对应的半导体芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供带有氮化镓通孔的半导体器件及对应的半导体芯片，其中带有氮化镓通孔的半导体器件，包括硅衬底、叠层结构、氮化镓通孔结构、连接金属，叠层结构连接于设置于硅衬底的上端。氮化镓通孔结构设置在硅衬底和叠层结构上，氮化镓通孔结构沿硅衬底和叠层结构的周向设置。氮化镓通孔结构包括第一氮化镓通孔和第二氮化镓通孔，第一氮化镓通孔和第二氮化镓通孔连通，第二氮化镓通孔设置于第一氮化镓通孔的上端。第二氮化镓通孔的宽度大于第一氮化镓通孔的宽度，从而第一氮化镓通孔的顶部与第二氮化镓通孔的底部形成一个阶梯结构。连接金属连接于第一氮化镓通孔和第二氮化镓通孔内部，连接金属凸出于第二氮化镓通孔，连接金属用于与外部走线连接。
本实用新型带有氮化镓通孔的半导体器件及对应的半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种带有氮化镓通孔的半导体器件，其特征在于，其包括， 硅衬底； 叠层结构，设置于所述硅衬底的上端，与所述硅衬底连接； 氮化镓通孔结构，设置在所述硅衬底和所述叠层结构上，所述氮化镓通孔结构沿所述硅衬底和所述叠层结构的周向设置，所述氮化镓通孔结构包括第一氮化镓通孔和第二氮化镓通孔，所述第一氮化镓通孔和所述第二氮化镓通孔连通，所述第二氮化镓通孔设置于所述第一氮化镓通孔的上端，所述第二氮化镓通孔的宽度大于所述第一氮化镓通孔的宽度，从而所述第一氮化镓通孔的顶部与所述第二氮化镓通孔的底部形成一个阶梯结构； 连接金属，连接于所述第一氮化镓通孔和所述第二氮化镓通孔内部，并凸出于所述第二氮化镓通孔，所述连接金属用于与外部走线连接。
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