甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利植球装置及半导体封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223859665U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423293588.2,技术领域涉及:H10W72/00;该实用新型植球装置及半导体封装结构是由何正鸿;高滢滢;夏锦枫;王立钢设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本植球装置及半导体封装结构在说明书摘要公布了:本申请公开一种植球装置及半导体封装结构,涉及半导体封装技术领域。该植球装置包括植球治具,在所述植球治具上设置有芯片放置槽,在所述芯片放置槽的槽底设置有植球凹槽和铜柱保护孔,且所述植球凹槽与所述铜柱保护孔呈同轴设置,当待封装芯片放置于所述芯片放置槽内时,所述待封装芯片的铜柱对应容置于所述铜柱保护孔内。该植球装置及半导体封装结构能够解决现有技术中的封装结构因其芯片铜柱容易发生掉落而导致测试断开的问题。
本实用新型植球装置及半导体封装结构在权利要求书中公布了:1.一种植球装置,其特征在于,包括植球治具,在所述植球治具上设置有芯片放置槽,在所述芯片放置槽的槽底设置有植球凹槽和铜柱保护孔,且所述植球凹槽与所述铜柱保护孔呈同轴设置,当待封装芯片放置于所述芯片放置槽内时,所述待封装芯片的铜柱对应容置于所述铜柱保护孔内。
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