昭和电工株式会社金田一麟平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利晶体生长装置及坩埚获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111286780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911230656.1，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权晶体生长装置及坩埚是由金田一麟平;奥野好成;庄内智博设计研发完成，并于2019-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体生长装置及坩埚在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体生长装置，其具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率比所述主体部低的低辐射部，所述加热部位于所述坩埚的外侧，利用辐射热来加热所述坩埚，所述低辐射部设置于在所述坩埚不具有低辐射部的情况下成为加热中心的第一点的外表面。
本发明授权晶体生长装置及坩埚在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长装置，是利用升华法使SiC单晶进行晶体生长的晶体生长装置，具备： 坩埚，具有主体部和辐射率比所述主体部低的低辐射部；和 加热部，位于所述坩埚的外侧，利用辐射热来加热所述坩埚， 所述低辐射部覆盖在所述坩埚的加热中心的外表面，由此缓和所述加热中心附近的上下方向的温度梯度，所述加热中心是在不具有低辐射部的情况下利用所述加热部加热所述坩埚时成为所述坩埚中温度最高的位置， 所述主体部是石墨， 所述低辐射部是含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W以及Zr的元素的单体、碳化物、氮化物或者混合物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昭和电工株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励