三星电子株式会社郑洪植获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利底部自由层磁隧道结和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010511468.2，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权底部自由层磁隧道结和制造其的方法是由郑洪植;唐学体设计研发完成，并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本底部自由层磁隧道结和制造其的方法在说明书摘要公布了：提供了底部自由层磁隧道结BMTJ和制造其的方法。该BMTJ包括复合金属氧化物籽晶层和在复合金属氧化物籽晶层上的包含硼B的自由层。复合金属氧化物籽晶层包括第一金属层、在第一金属层上的金属氧化物层以及在金属氧化物层上的第二金属层。第二金属层已被氧处理。
本发明授权底部自由层磁隧道结和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种底部自由层磁隧道结，包括： 复合金属氧化物籽晶层，以及 在所述复合金属氧化物籽晶层上的包含硼B的自由层， 其中所述复合金属氧化物籽晶层包括： 第一金属层； 在所述第一金属层上的金属氧化物层；以及 在所述金属氧化物层上的第二金属层，其中所述第二金属层已被氧处理， 其中所述第二金属层包括Nb、Zr或Zr-X，其中X是Nb、Ta或Hf， 其中所述第一金属层包括钽铁钴硼钽铁钴硼TaFeCoBTaFeCoB。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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