三星电子株式会社崔恩荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010869840.7，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权集成电路器件和制造其的方法是由崔恩荣;李洙衡;李要韩;赵容锡设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件和制造其的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成电路器件和制造其的方法。该集成电路器件包括：沟道层，在穿透导电层和绝缘层的沟道孔中；电荷捕获图案，在导电层与沟道层之间在沟道孔内部；以及虚设电荷捕获图案，在绝缘层与沟道层之间在沟道孔内部。为了制造该集成电路器件，形成穿透绝缘层和模制层的沟道孔。形成连接到沟道孔的模制凹口。在模制凹口中形成初始电介质图案。氧化初始电介质图案以形成第一阻挡电介质图案。在沟道孔中形成电荷捕获层。去除模制层以形成导电空间。去除电荷捕获层的一部分以形成电荷捕获图案和虚设电荷捕获图案。
本发明授权集成电路器件和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 导电图案，在衬底上在平行于所述衬底的表面的水平方向上延伸； 绝缘层，在所述衬底上在所述水平方向上延伸、在垂直于所述衬底的所述表面的垂直方向上与所述导电图案相邻并且平行于所述导电图案； 沟道层，在穿透所述导电图案和所述绝缘层的沟道孔中在所述垂直方向上延伸； 电荷存储图案，在所述导电图案与所述沟道层之间在所述沟道孔内部； 虚设电荷存储图案，在所述绝缘层与所述沟道层之间在所述沟道孔内部，所述虚设电荷存储图案与所述电荷存储图案分开；以及 阻挡电介质图案，与所述沟道层间隔开且在其间具有所述电荷存储图案，所述阻挡电介质图案接触所述电荷存储图案的在所述垂直方向上彼此相反的上表面和下表面， 其中所述电荷存储图案和所述虚设电荷存储图案由相同的材料形成。
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