罗伯特·博世有限公司王宁获国家专利权
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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利平面内MEMS光开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113885125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110748803.5，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权平面内MEMS光开关是由王宁;A·许贝尔;C·谢林;J·N·卡斯帕斯;H·屈佩尔斯;S·品特尔设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本平面内MEMS光开关在说明书摘要公布了：平面内MEMS光开关。一种光开关包括：由基板支撑的第一总线波导、经由弹簧悬挂在第一总线波导上方的光学天线、以及将基板与光学天线耦合并且被配置成控制光学天线相对于第一总线波导的方位的叉指电极。当施加到叉指电极的电压差小于下阈值时，光学天线处于偏离第一总线波导的第一方位，当施加到叉指电极的电压差大于上阈值时，光学天线处于偏离第一总线波导的第二方位，并且第二方位处的偏移大于第一方位处的偏移。
本发明授权平面内MEMS光开关在权利要求书中公布了：1.一种光开关，其包括： 由基板支撑的第一总线波导； 经由弹簧悬挂在第一总线波导上方的光学天线；以及 叉指电极，其将基板与光学天线耦合，并且被配置成控制光学天线相对于第一总线波导的方位， 其中，当施加到叉指电极的电压差小于下阈值时，光学天线处于偏离第一总线波导的第一方位，当施加到叉指电极的电压差大于上阈值时，光学天线处于偏离第一总线波导的第二方位，并且第二方位处的偏移大于第一方位处的偏移。
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