中国科学院微电子研究所刘建云获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113946934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110692948.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置是由刘建云;陈岚;孙艳;曹鹤设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置，计算得到半导体互连结构下层结构的各个位置的图形区高度和下层结构的空白区高度，将各个位置的图形区高度分别减去空白区高度得到的差值，作为各个位置的不平坦性表征参数高度差值，将不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，以利用新模型对半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真。从而可对单层CMP模型进行修正得到新模型，由于新模型考虑了半导体互连结构的下层结构对上层结构的叠层效应，可以得到上层结构更准确的仿真预测结果，提升化学机械研磨根据仿真模型的预测精度，在设计阶段避免可能的缺陷，缩短产品从设计到制造的周期，协同提高产品的生产良率。
本发明授权一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法，其特征在于，包括： 计算得到半导体互连结构下层结构的各个位置的图形区高度和所述下层结构的空白区高度； 将所述各个位置的图形区高度分别减去所述空白区高度得到的差值，作为各个位置的不平坦性表征参数高度差值； 将所述不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，以利用所述新模型对所述半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真； 所述将所述不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，包括： 将所述不平坦性表征参数高度差值和半导体互连结构的上层结构对应位置的表面高度相加得到修正后高度，将包括所述修正后高度的单层CMP模型作为所述新模型。
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