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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种三维存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111355324.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权一种三维存储器及其制作方法是由王二伟;郑晓芬;顾立勋设计研发完成，并于2021-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维存储器及其制作方法，包括：提供衬底，衬底上具有第一连接层和第一牺牲层；对第一牺牲层进行刻蚀形成第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽位于待形成栅极隙区域的一侧，第二凹槽位于待形成栅极隙区域的另一侧，且第一凹槽和第二凹槽在垂直于待形成栅极隙区域的延伸方向的方向上交错排布；在第一牺牲层上形成第二连接层，第二连接层填满第一凹槽和第二凹槽，在第一凹槽内形成第一连接结构、在第二凹槽内形成第二连接结构，第二连接层的材料与第一牺牲层的材料不同。由于第一连接结构和第二连接结构可以对其顶部的堆叠结构进行支撑，因此，降低了堆叠结构破裂或坍塌的风险，保证了三维存储器制作过程中结构的稳定性。

本发明授权一种三维存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有依次层叠设置的第一连接层和第一牺牲层； 对部分所述第一牺牲层进行刻蚀，形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽位于第一区域的一侧，所述第二凹槽位于所述第一区域的另一侧； 在所述第一凹槽内形成第一连接结构、在所述第二凹槽内形成第二连接结构，同时在所述第一牺牲层上形成第二连接层；其中，所述第二连接层、所述第一连接结构和所述第二连接结构的材料相同且均与所述第一牺牲层的材料不同； 在所述第二连接层表面形成堆叠结构； 形成贯穿所述堆叠结构，且延伸至所述第一牺牲层的沟道结构和栅线隙，所述栅线隙沿所述第一牺牲层所在平面的投影与所述第一区域重叠； 通过所述栅线隙去除所述第一牺牲层以及所述第一牺牲层对应区域的部分沟道结构形成开口区；其中，在去除所述第一牺牲层以及所述部分沟道结构时，所述第一连接结构和所述第二连接结构被保留； 通过所述栅线隙在所述开口区形成外延结构层，所述外延结构层与所述沟道结构内部的沟道层连通。

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