买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利刻蚀系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111632055.0，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权刻蚀系统是由王国斌;刘宗亮设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本刻蚀系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种刻蚀系统包括：刻蚀腔，用于对基片进行刻蚀；检测腔，用于对基片的刻蚀结果进行检测；沉积腔，用于对检测腔内检测后的的基片进行沉积；光学检测装置，包括光学模块以及检测控制模块，光学模块位于检测腔内，用于在检测控制模块的控制下检测对基片的刻蚀结果；其中，基片在刻蚀腔、沉积腔、检测腔之间转移时处于真空状态；中控设备，电连接检测控制模块，用于根据基片的刻蚀结果控制检测腔内的基片进入沉积腔或者刻蚀腔。本申请可以有效提高半导体产品生产良率。

本发明授权刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀系统，其特征在于，包括： 刻蚀腔，用于对基片进行刻蚀； 检测腔，用于对所述基片的刻蚀结果进行检测；其中，所述检测腔还设有第一基片放置装置与降温装置，所述降温装置用于对刻蚀后的所述基片进行降温，所述降温装置包括冷却管，所述第一基片放置装置包括多个从上而下依次竖直排列设置的第一基片放置台，每个所述第一基片放置台上放置一片所述基片，所述第一基片放置台下设有所述冷却管； 沉积腔，用于对所述检测腔内检测后的所述基片进行沉积； 光学检测装置，包括光学模块以及检测控制模块，光学模块位于所述检测腔内，用于在所述检测控制模块的控制下检测对所述基片的刻蚀结果；其中，基片在所述刻蚀腔、所述沉积腔、所述检测腔之间转移时处于真空状态； 中控设备，电连接所述检测控制模块，用于根据所述基片的刻蚀结果控制所述检测腔内的基片进入所述沉积腔或者所述刻蚀腔； 测试腔，用于对沉积中和沉积后的所述基片上形成的产品进行性能测试；其中，在沉积过程中，将所述沉积腔和所述测试腔抽真空至同一真空环境下，以使得所述沉积腔内的产品能够运送至所述测试腔中进行测试。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏第三代半导体研究院有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。