株式会社电装;学校法人关西学院;丰田通商株式会社长屋正武获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;学校法人关西学院;丰田通商株式会社申请的专利SiC衬底的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055185.X，技术领域涉及：H10P52/40；该发明授权SiC衬底的制造方法是由长屋正武;金子忠昭设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC衬底的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于制造SiC衬底的新颖技术，其可以去除应变且实现与进行了CMP的情况相同程度的平坦表面。该技术在包含Si元素和C元素的气氛下对表面的算术平均粗糙度Ra为100nm以下的SiC衬底进行蚀刻。
本发明授权SiC衬底的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC衬底的制造方法，包括：蚀刻步骤，将表面的算术平均粗糙度Ra为100nm以下的SiC衬底收纳在SiC制的容器中，使所述SiC衬底与所述SiC制的容器相对，进行加热使得在所述SiC衬底与所述SiC制的容器之间形成温度梯度，从而在包含Si元素和C元素的气氛下对所述SiC衬底进行蚀刻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装;学校法人关西学院;丰田通商株式会社，其通讯地址为：日本国爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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